OU Portal
  • Log In

  • Welcome
  • Applicants
Z6_60GI02O0O8IDC0QEJUJ26TJDI4
{}

Pomocí tohoto dialogu můžete vyhledat domácí autory, čili autory, kteří jsou vedeni v personálních systémech Ostravské univerzity.

Do našeptávače níže napište hledaný text a tento text bude vyhledán ve jméně nebo příjmení autora. Autoři, kteří budou hledanému textu odpovídat, Vám budou nabídnuti v seznamu. Pomocí myši nebo šipek na klávesnici vyberte požadovaného autora.

Našeptávač : 
Přidat autora k záznamu Zavřít

Pomocí tohoto dialogu můžete k záznamu přidat cizího autora, čili autora, který nemá žádný pracovní ani studijní vztah k Ostravské univerzitě. Takto přidaný autor bude do RIV vykázán jako nedomácí.

Pro přidání autora vepište jeho jméno a příjmení do určených položek.

Jméno :
Příjmení :
Přidat k záznamu Zavřít
Zavřít

Pomocí tohoto dialogu můžete k záznamu nahrát soubor PDF. Tento soubor musí obsahovat text tohoto záznamu (text článku, knihy, atd.). Tento soubor je důležitý pro RIV, protože může být použit jako důkaz existence tohoto záznamu.

Pro nahrání souboru klikněte na tlačítko Browse a vyberte soubor, který chcete nahrát. Nahrávání souboru zahájíte tlačítkem Nahrát soubor.

Maximální velikost souboru PDF je omezena na 100 MB.

Soubor : 

Nahrát soubor
Zavřít

Pomocí tohoto dialogu můžete stáhnout PDF soubor přiřazený tomuto záznamu. Pro stažení souboru klikněte níže na název tohoto souboru a bude Vám nabídnuta možnost soubor uložit.

Věnujte prosím pozornost také velikosti PDF souboru. Velké soubory se mohou stahovat delší dobu, pokud máte pomalé internetové připojení.

Název souboru :
Velikost souboru :
Zavřít
Publikační činnost


preloading...   Probíhá načítání, čekejte prosím...
publicationId :
tempRecordId :
actionDispatchIndex :
navigationBranch :
pageMode :
tabSelected :
isRivValid :
Typ záznamu * : článek v odborném periodiku (J)
Domácí pracoviště * : Katedra fyziky (31300)
Název * : Electronic and Optical Properties of III-V Binary 2D Semiconductors: How to Achieve High Precision from Accurate Many-Body Methods
Citace : Kolos, M. a Karlický, F. Electronic and Optical Properties of III-V Binary 2D Semiconductors: How to Achieve High Precision from Accurate Many-Body Methods. PHYS CHEM CHEM PHYS. 2022, 24(44), s. 27459-27466. ISSN 1463-9076.
Podnázev :
Rok * : 2022
Obor * : Fyzika pevných látek a magnetismus
Kód ISSN * : 1463-9076
Oficiální název periodika * : PHYS CHEM CHEM PHYS
Stát vydavatele periodika * : Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Svazek periodika * : 24
Číslo periodika v rámci svazku * : 44
Číslo článku :
Ročník :
Počet stran článku * : 8
Strana od * : 27459
Strana do * : 27466
Kód UT WoS : 000880673500001
EID : 2-s2.0-85142270827
Poddruh recenzovaného článku : Článek v impaktovaném časopise (Jimp)
Klíčová slova anglicky * :
2D materials, boron nitride, DFT, absorption spectra, linear optics
Popis v původním jazyce * :
Seven hexagonal 2D materials consisting of elements of the IIIA and VA group (BN, BP, BA, AlN, GaN, GaP, and GaAs) were theoretically studied using first-principles methods. Simultaneous convergence in all principal parameters of the accurate many-body perturbational GW approach and the subsequent Bethe-Salpeter equation (BSE) was necessary to achieve precise fundamental and optical gaps, exciton binding energies, and absorbance spectra. Various convergence rates of studied properties in the case of different materials were visualized and explained. Benchmark calculations show several 2D materials from this set that strongly absorb in the visible and ultraviolet parts of the spectra, and therefore can be promising materials for (opto)electronic applications.
Popis v anglickém jazyce * :
Typ zdroje financování výsledku * : Specifický výzkum
Seznam projektů :
ID Projektu Název projektu
Seznam ohlasů : 
Ohlas
R01:

© 2019 Centre for Information Technology

  • Technická podpora :
  • Mgr. Olga Blahutová (phone: +420 597 091 129, phone flap for UO: 1129)
  • Ing. Lucie Svitaneková (phone: +420 597 091 108, phone flap for UO: 1108)
Complementary Content
  • ${title}${badge}
${loading}